IRF640NSPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт, 0.15 Ом

Код товара: 77949

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRF640NSPBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Статус:
Obsolete
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

200В

Ток стока макс.

18A

Сопротивление открытого канала

150 мОм

Мощность макс.

150Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

67нКл

Входная емкость

1160пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

D2Pak (TO-263)

Вес брутто

2.02 г.

Описание IRF640NSPBF

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт, 0.15 Ом

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

Акция
IRF640NSTRLPBF Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 150Вт Производитель: Infineon Technologies
Наличие:
16 531 шт

Под заказ:
9 783 шт
Цена от:
от 30,73
IRF640NSTRRPBF Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A D2PAK Производитель: Infineon Technologies
Наличие:
0 шт

Под заказ:
89 шт
Цена от:
от 73,44

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка IRF640NSPBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт, 0.15 Ом в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 162
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.