8 800 1000 321 - контакт центр

IRF8707PBF, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 11 А, 2.5 Вт

  • IRF8707PBF

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
Infineon Technologies

Описание

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC, 2.5W

Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 11 А, 2.5 Вт

Документация

DataSheet
Код товара: 203888
Дата обновления: 22.03.2019 23:00
Цена за 1шт: 26.03 руб.
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 475 шт: 16.770 руб.
от 285 шт: 18.010 руб.
от 95 шт: 19.890 руб.
от 55 шт: 22.950 руб.
от 1 шт: 26.030 руб.
591 штНа складе1 шт.12 шт.
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 231 шт: 18.803 руб.
от 180 шт: 19.605 руб.
276 шт.3 раб. дн.1 шт.180 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
8-SOIC(SO8)
Нормоупаковка
95 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Вес нетто
0.25 г
Напряжение исток-сток макс.
30V
Ток стока макс.
11A
Сопротивление открытого канала
11.9 mOhm
Мощность макс.
2.5W
Тип транзистора
N-Channel
Особенности
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.
2.35V
Заряд затвора
9.3nC
Входная емкость
760pF
Тип монтажа
Surface Mount

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
77 шт.
Интернет-магазин
867 шт.

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
IRF8707TRPBF
INFSO813.6148511.079222

Подробное описание

Характеристики

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А11
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм11.9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.5
Крутизна характеристики, S25
Корпусso8
Пороговое напряжение на затворе1.35…2.35

C этим товаром покупают:

Микросхемы
IRF8707PBF - 8-SOIC
Цена от
133.76 руб.
Микросхемы
TDA7265
Цена от
175.20 руб.
Паяльное оборудование
608-391A
Цена от
482.11 руб.

Поделиться:
сообщение об ошибке