8 800 1000 321 - контакт центр

IRF8707PBF, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 11 А, 2.5 Вт

  • IRF8707PBF

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
Infineon Technologies

Описание

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC, 2.5W

Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 11 А, 2.5 Вт

Документация

DataSheet
Код товара: 203888
Дата обновления: 19.12.2018 20:30
Цена за 1шт: 25.69 руб.
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 475 шт: 16.890 руб.
от 285 шт: 18.070 руб.
от 95 шт: 19.850 руб.
от 53 шт: 22.760 руб.
от 1 шт: 25.690 руб.
599 штНа складе1 шт.8 шт.
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 234 шт: 19.209 руб.
от 183 шт: 20.029 руб.
352 шт.3 раб. дн.1 шт.183 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
SOIC-8
Нормоупаковка
95 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Вес нетто
0.25 г
Напряжение исток-сток макс.
30 В
Ток стока макс.
11 А
Сопротивление открытого канала
11.9 мОм
Мощность макс.
2.5 Вт
Пороговое напряжение включения макс.
2.35 В
Заряд затвора
9.3 нКл
Входная емкость
760 пФ
Тип монтажа
Поверхностный

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
85 шт.
Интернет-магазин
951 шт.

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
IRF8707TRPBF
INFSO813.7148511.0314493

Подробное описание

Характеристики

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А11
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм11.9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.5
Крутизна характеристики, S25
Корпусso8
Пороговое напряжение на затворе1.35…2.35

C этим товаром покупают:

Паяльное оборудование
608-391A
Цена от
498.62 руб.
Транзисторы
AO4407A
Цена от
10.55 руб.
Микросхемы
TDA7265
Цена от
182.04 руб.
Готовые изделия
IRF8707PBF - SOIC-8
Цена от
128.34 руб.

Поделиться:
сообщение об ошибке