Одиночные MOSFET транзисторы

₃₇

Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1895)
Surface Mount (3487)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (37)

IRF6727MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A 7-Pin Direct-FET MX лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] MX

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

32A

Сопротивление открытого канала:

1.7 мОм

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

6190пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 801 шт

Внешние склады:

5 635 шт

Цена от:

от 101,58₽

Акция

IRF7862TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

3.7 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

4090пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

128 шт

Внешние склады:

3 200 шт

Цена от:

от 33,66₽

IRF8707TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A 8-SOIC, 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

11.9 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

9.3нКл

Входная емкость:

760пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

6 301 шт

Внешние склады:

65 352 шт

Цена от:

от 14,46₽

Акция

IRF8714TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14А 2,5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

8.7 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

1020пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 720 шт

Внешние склады:

6 426 шт

Цена от:

от 18,96₽

Акция

IRF8736TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

4.8 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

2315пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 573 шт

Внешние склады:

21 597 шт

Аналоги:

14 007 шт

Цена от:

от 18,24₽

Акция

IRF8788TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

2.8 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

5720пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

5 232 шт

Внешние склады:

9 086 шт

Цена от:

от 40,26₽

Акция

IRFH5300TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A 8-Pin PQFN EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN 5x6 mm

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

1.4 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

120нКл

Входная емкость:

7200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

5 096 шт

Внешние склады:

26 416 шт

Цена от:

от 46,68₽

IRFHS8242TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 9.9A 6-Pin PQFN EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN6-(2x2)

Напряжение исток-сток макс.:

25В

Ток стока макс.:

9.9A

Сопротивление открытого канала:

13 мОм

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

10.4нКл

Входная емкость:

653пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

608 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 31,32₽

IRFML8244TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 5.8А 1.25Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

Micro3™ (SOT-23)

Напряжение исток-сток макс.:

25В

Ток стока макс.:

5.8A

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

1.25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

5.4нКл

Входная емкость:

430пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

9 267 шт

Внешние склады:

22 980 шт

Аналоги:

48 927 шт

Цена от:

от 7,50₽

IRFTS8342TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.2А 2Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

6-TSOP

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.2A

Сопротивление открытого канала:

19 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

4.8нКл

Входная емкость:

560пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 199 шт

Внешние склады:

2 694 шт

Цена от:

от 19,44₽

IRLB3813PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 260А 230Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

260A

Сопротивление открытого канала:

1.95 мОм

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

8420пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

232 шт

Внешние склады:

3 706 шт

Цена от:

от 59,28₽

IRLB8721PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 62А 65Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

62A

Сопротивление открытого канала:

8.7 мОм

Мощность макс.:

65Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

1077пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

358 шт

Внешние склады:

968 шт

Цена от:

от 86,40₽

Акция

IRLB8743PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 78A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220 Isolated Tab

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

78A

Сопротивление открытого канала:

3.2 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

54нКл

Входная емкость:

5110пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

256 шт

Внешние склады:

518 шт

Цена от:

от 58,50₽

Акция

IRLB8748PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 78А 75Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

78A

Сопротивление открытого канала:

4.8 мОм

Мощность макс.:

75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

2139пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

228 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 40,80₽

Акция

IRLR8256TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 81A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

25В

Ток стока макс.:

81A

Сопротивление открытого канала:

5.7 мОм

Мощность макс.:

63Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

1470пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

675 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 14,82₽

IRLR8726TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 86A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

86A

Сопротивление открытого канала:

5.8 мОм

Мощность макс.:

75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

2150пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

9 865 шт

Внешние склады:

17 929 шт

Аналоги:

5 442 шт

Цена от:

от 12,72₽

IRLR8743TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

3.1 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

59нКл

Входная емкость:

4880пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 538 шт

Внешние склады:

1 524 шт

Цена от:

от 53,46₽

IRLU8743PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

3.1 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

59нКл

Входная емкость:

4880пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

300 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 98,88₽

IRFH3702TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 16A 8-Pin PQFN EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

8-PQFN (3x3)

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

7.1 мОм

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

1510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

14 400 шт

Цена от:

от 22,86₽

IRFH8318TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 50A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6)

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

27A

Сопротивление открытого канала:

3.1 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

3180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

4 800 шт

Цена от:

от 27,96₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.5123 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"