IRFD9110PBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 700мА
Цена от:
107,58 руб.
Внешние склады
-
12+ 46+ 93+ 200+126,00 ₽ 116,34 ₽ 114,36 ₽ 107,58 ₽Срок:7 днейНаличие:200Минимум:Мин: 12Количество в заказ
-
12+121,14 ₽Срок:7 днейНаличие:20Минимум:Мин: 12Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRFD9110PBF
The IRFD9110PBF is a -100V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175°C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
• For automatic insertion
• End stackable
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -0.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.2 ом при-0.42a, -10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Крутизна характеристики, S | 0.6 |
| Корпус | HVMDIP |
| Пороговое напряжение на затворе | -4 |
| Вес, г | 0.6 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка IRFD9110PBF , Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 700мА
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 366 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2304 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 3 раб. дней
от 743 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара