Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (22)

CSD13381F4 Транзистор полевой N-канальный 12В 2.1A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

SON3

Напряжение исток-сток макс.:

12В

Ток стока макс.:

2.1A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

500мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.1В

Заряд затвора:

1.4нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD13381F4T Транзистор полевой N-канальный 12В 2.1A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

SON3

Напряжение исток-сток макс.:

12В

Ток стока макс.:

2.1A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

500мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.1В

Заряд затвора:

1.4нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD4N25TM_WS Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

250В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.75 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

5.6нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT4N25TF Транзистор полевой N-канальный 250В 0.83A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT223-4

Напряжение исток-сток макс.:

250В

Ток стока макс.:

830мА

Сопротивление открытого канала:

1.75 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

5.6нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPD60R1K5CEAUMA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 5A лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

49Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

9.4нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9510PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4А 20Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

43Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.7нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9510SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.7нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9510STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.7нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFD9110PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 700мА

Производитель:

Vishay

Корпус:

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

700мА

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.7нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFL9110PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1.1А 3.1Вт, 1.2 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.1A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.7нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFL9110TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1.1А 3.1Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.1A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.7нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR9110PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

3.1A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.7нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR9110TRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

3.1A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.7нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR9110TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

3.1A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.7нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFU9110PBF Транзистор полевой P-канальный 100В 3.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

3.1A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.7нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

NTR4501NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.2А 1.25Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

80 мОм

Мощность макс.:

1.25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.2В

Заряд затвора:

6нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR4502PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.13А 1.25Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.13A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

400мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVR4501NT1G Транзистор полевой N-канальный 20В 3.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

80 мОм

Мощность макс.:

1.25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.2В

Заряд затвора:

6нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTR4502PT1G Транзистор полевой P-канальный 30В 1.95A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.13A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

400мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPP02N60C3XKSA1 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 1.8 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

1.8A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

12.5нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"