Одиночные MOSFET транзисторы

22
Входная емкость: 200пФ
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (22)
-8% Акция
IRF9510PBF IRF9510PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4А 20Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
43Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
423 шт

Внешние склады:
900 шт
Цена от:
от 42,18
-7%
IRF9510SPBF IRF9510SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
300 шт

Внешние склады:
150 шт
Цена от:
от 64,44
-8% Акция
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1.1А 3.1Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.1A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
810 шт

Внешние склады:
35 900 шт
Аналоги:
10 120 шт
Цена от:
от 29,16
-7%
IRFR9110TRPBF IRFR9110TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 066 шт

Внешние склады:
24 000 шт
Цена от:
от 40,74
-8% Акция
NTR4501NT1G NTR4501NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.2А 1.25Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 395 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 4,86
-8% Акция
NTR4502PT1G NTR4502PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.13А 1.25Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.13A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 867 шт

Внешние склады:
3 004 шт
Цена от:
от 6,00
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 700мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
700мА
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
220 шт
Цена от:
от 107,58
NVR4501NT1G NVR4501NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 7,14
NVTR4502PT1G NVTR4502PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.95A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.13A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 35,40
ZVP4424GTA ZVP4424GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 240В 0.48A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
240В
Ток стока макс.:
480мА
Сопротивление открытого канала:
9 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 31,20
CSD13381F4 CSD13381F4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 2.1A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON3
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.1A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
1.4нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD13381F4T CSD13381F4T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 2.1A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON3
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.1A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
1.4нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD4N25TM_WS FQD4N25TM_WS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
1.75 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5.6нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT4N25TF FQT4N25TF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 0.83A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT223-4
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
830мА
Сопротивление открытого канала:
1.75 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5.6нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5A лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
49Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
9.4нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9510STRLPBF IRF9510STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
450 шт
Цена от:
от 64,44
IRFL9110PBF IRFL9110PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1.1А 3.1Вт, 1.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.1A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
83 540 шт
Цена от:
от 19,44
IRFR9110PBF IRFR9110PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
26 066 шт
Цена от:
от 40,74
IRFR9110TRLPBF IRFR9110TRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
26 066 шт
Цена от:
от 24,53
IRFU9110PBF IRFU9110PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"