IRFD9110PBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 700мА
Цена от:
58,00 руб.
Внешние склады
-
10+ 42+ 84+ 200+137,44 ₽ 130,90 ₽ 128,71 ₽ 121,08 ₽Срок:7 днейНаличие:200Минимум:Мин: 10Количество в заказ
-
11+138,31 ₽Срок:7 днейНаличие:20Минимум:Мин: 11Количество в заказ
-
263+ 358+ 1900+61,08 ₽ 59,54 ₽ 58,00 ₽Срок:26 днейНаличие:1 900Минимум:Мин: 263Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRFD9110PBF
The IRFD9110PBF is a -100V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175°C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
• For automatic insertion
• End stackable
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -0.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.2 ом при-0.42a, -10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Крутизна характеристики, S | 0.6 |
| Корпус | HVMDIP |
| Пороговое напряжение на затворе | -4 |
| Вес, г | 0.6 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка IRFD9110PBF , Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 700мА
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 335 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2363 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1574 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 733 ₽
СДЭК
от 3 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара