IRFL4310TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6А 2.1Вт

Name: IRFL4310TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6А 2.1Вт
Brand: Infineon Technologies
SKU: 204113
Availability: InStock

Код товара: 204113

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:

IRFL4310TRPBF

Производитель:

Описание Eng:

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223

Тип упаковки:

Tape and Reel (лента в катушке)

Нормоупаковка:

2500 шт

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Все характеристики
Документация и сертификаты
Описание

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: 2SDnjeoH2LN

Расширили ассортимент до 600 000 позиций

Показать аналоги

Описание IRFL4310TRPBF

The IRFL4310TRPBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heat sinking. Power dissipation of 1W is possible in a typical surface-mount application.

• Dynamic dV/dt rating
• Ease of paralleling
• Advanced process technology
• Low static drain-to-source ON-resistance

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	1.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.2 ом при 1.6a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	3.1
Крутизна характеристики, S	1.5
Корпус	sot223
Пороговое напряжение на затворе	4
Вес, г	0.39

Полезная информация

MOSFET ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

irfl4310.pdf
0,6 мБ

Аналоги и возможные замены

Акция

IRFL4310PBF Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6А 2.1Вт, 0.2 Ом Производитель: Infineon Technologies

Сообщить о поступлении

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка IRFL4310TRPBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6А 2.1Вт в город Екатеринбург

Самовывоз из Екатеринбурга

от 1 раб. дня

Бесплатно

DPD РФ

от 1 раб. дня

от 227 ₽

Деловые линии

от 2 раб. дней

от 2145 ₽

EMS

от 1 раб. дня

от 620 ₽

Почта России

от 1 раб. дня

от 319 ₽

СДЭК

от 2 раб. дней

от 171 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

← IRFL214TRPBF IRFL4315PBF →

IRFL4310TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6А 2.1Вт

29,45 руб.

Технические параметры

Описание IRFL4310TRPBF

Полезная информация

Infineon Technologies

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

Способы доставки в Екатеринбург