IRGP20B60PDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 220 Вт
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
595,26 руб.
-
1+ 4+ 7+ 13+ 25+723,78 ₽ 679,74 ₽ 644,82 ₽ 616,38 ₽ 595,26 ₽Срок:В наличииНаличие:78Минимум:1Количество в заказ
-
1+ 2+ 3+ 12+ 59+10 527,84 ₽ 9 078,36 ₽ 8 849,46 ₽ 8 620,62 ₽ 8 468,04 ₽Срок:25 днейНаличие:2 000Минимум:Мин: 1Количество в заказ
Технические параметры
Описание IRGP20B60PDPBF
IGBT транзисторы были изначально предназначены для недорогой и эффективной замены силовых полевых транзисторов в среднем диапазоне напряжений (400-600 В). Однако для достижения поставленных целей разработчики IGBT должны были решить две главные проблемы: малая скорость переключений транзисторов и высокая себестоимость приборов. Решением этих проблем стала WARP серия IGBT транзисторов International Rectifier. Примерами WARP серии являются транзисторы IRGP20B60PDPBF и IRGB20B60PD1PBF Их время переключений максимально близко к аналогичному параметру силовых полевых транзисторов без ущерба отличным характеристикам проводимости IGBT. Благодаря малому размеру кристалла (при сохранении уровня мощности) WARP Speed IGBT имеют более низкий заряд затвора и сниженную стоимость в системах преобразования энергии 400-600 В, работающих на частотах до 150 кГц. Благодаря более высокой плотности тока IGBT, эти транзисторы даже при вдвое меньшем размере кристалла могут пропускать через себя в 2-3 раза выше ток, чем обычный MOSFET. Размер кристалла IGBT обычно составляет 40% от кристалла MOSFET транзистора той же выходной мощности.
Характеристики
| Структура | n-канал+диод |
|---|---|
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 40 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.7 |
| Управляющее напряжение,В | 5 |
| Мощность макс.,Вт | 220 |
| Крутизна характеристики, S | 19 |
| Температурный диапазон,С | -55…150 |
| Дополнительные опции | - |
| Корпус | to247ac |
