IRLD110PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1A
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IRLD110PBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Тип упаковки:
Bulk (россыпь)
Нормоупаковка:
1 шт
Корпус:
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
540 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
96,33 руб.
Внешние склады
-
15+96,33 ₽Срок:7 днейНаличие:20Минимум:Мин: 15Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRLD110PBF
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.54 ом при 0.6a, 5в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Крутизна характеристики, S | 1.3 |
| Корпус | hd-1 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2 |
| Вес, г | 0.6 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IRLD110PBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара