8 800 1000 321 - контакт центр
  • IRLD110PBF

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
Vishay

Описание

MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 1 А

Документация

DataSheet
Справочная информация
Код товара: 204634
Дата обновления: 22.02.2019 13:30
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
Нет в наличии
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 18 шт: 25.720 руб.
100 шт.7 раб. дн.1 шт.18 шт.
от 200 шт: 23.959 руб.
от 150 шт: 24.982 руб.
400 шт.28 раб. дн.50 шт.150 шт.
от 491 шт: 34.631 руб.
от 295 шт: 35.542 руб.
1 150 шт.28 раб. дн.1 шт.295 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Нормоупаковка
100 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Напряжение исток-сток макс.
100V
Ток стока макс.
1A (Ta)
Сопротивление открытого канала
540 mOhm @ 600mA, 5V
Мощность макс.
1.3W
Тип транзистора
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Особенности
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.
2V @ 250 µA
Заряд затвора
6.1nC @ 5V
Входная емкость
250pF @ 25V
Тип монтажа
Through Hole

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
1650 шт.

Поделиться:
сообщение об ошибке