NTMFS5C646NLT1G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 32A
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NTMFS5C646NLT1G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 60V 32A SO-8FL
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
1500 шт
Корпус:
5-DFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
0,00 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание NTMFS5C646NLT1G
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Вес изделия | 107.200 mg |
| Упаковка / блок | SO-FL-8 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 66 W |
| Время спада | 5.1 ns |
| Время нарастания | 14.9 ns |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 89 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.7 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 15.7 nC |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 23.6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10.4 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NTMFS5C646NLT1G , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 32A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
от 1 раб. дня
от 136 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара