SGB07N120ATMA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SGB07N120ATMA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 1200V 16.5A 125000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Нормоупаковка:
1000 шт
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
16.5A
Макс. рассеиваемая мощность:
125W
Цена от:
142,42 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание SGB07N120ATMA1
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт
Способы доставки в Калининград
Доставка SGB07N120ATMA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 345 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2304 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 743 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара