SGB07N120ATMA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 16.5 а, 125000 мвт

Name: SGB07N120ATMA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт
Brand: Infineon Technologies
SKU: 232085
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

IGBT Chip N-CH 1200V 16.5A 125000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт

Код товара: 232085

Дата обновления: 21.09.2021 10:25

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка SGB07N120ATMA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

D2PAK/TO263
Нормоупаковка

1000 шт.
Вес брутто

1.2 г.
Макс. напр. коллектор-эмиттер

1200V
Макс. ток коллектора

16.5A
Макс. рассеиваемая мощность

125W

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← FGH20N60UFDTU IXXH50N60C3 →