SGB07N120ATMA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SGB07N120ATMA1
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 1200V 16.5A 125000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
В упаковке:
1000 шт
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
16.5A
Макс. рассеиваемая мощность:
125W
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
142,42 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание SGB07N120ATMA1
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт
Документы и сертификаты
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SGB07N120ATMA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2392 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара