SGP02N120XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62000 мВт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62000 мВт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62000 мВт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
SGP02N120XKSA1
Описание SGP02N120XKSA1
Infineon Discrete IGBT Transistors
Discrete IGBT transistors from Infineon offer various technologies such as NPT, Trenchstop™ and Fieldstop. They can be used in many applications that may require hard or soft switching including Industrial drives, UPS, Inverters, home appliances and Induction cooking. Some devices include an anti-parallel diode or monolithically integrated diode.
| Технология/семейство | npt |
| Наличие встроенного диода | нет |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 6.2 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 9.6 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 62 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 23 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 260 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | pg-to-220-3-1 |
| Структура | n-канал |
| Управляющее напряжение,В | 4 |
| Дополнительные опции | выдерживает 10мкс кз |
| Вес, г | 2.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара