SI2301BDS-T1-E3, Транзистор полевой P-канальный 20В 2.2А 0,9Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Транзистор полевой P-канальный 20В 2.2А 0,9Вт
Транзистор полевой P-канальный 20В 2.2А 0,9Вт
Производитель:
Vishay
Артикул:
SI2301BDS-T1-E3
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOT-23 (TO-236AB)
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт
-
Вес брутто0.05 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание SI2301BDS-T1-E3
Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 100 мОм
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -2.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 ом при-2.8a, -4.5в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.7 |
| Крутизна характеристики, S | 6.5 |
| Корпус | sot23 |
| Пороговое напряжение на затворе | -0.95 |
| Вес, г | 0.05 |
Функциональные аналоги
-
SI2301 LOW VOLTAGE MOSFET (P-CHANNEL)Наличие:2511 штМинимум:штЦена от:2,30 ₽HottechSOT-23
-
SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3VISHAYSOT-23
-
SI2301CDS-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3VISHAYSOT-23-3 (TO-236)
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара