SI2308BDS-T1-E3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3A

Код товара: 232194

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI2308BDS-T1-E3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
156 мОм
Мощность макс.:
1.66Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

60В

Ток стока макс.

2.3A

Сопротивление открытого канала

156 мОм

Мощность макс.

1.66Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

6.8нКл

Входная емкость

190пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SOT-23-3 (TO-236)

Описание SI2308BDS-T1-E3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

SI2308BDS-T1-GE3 Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3А 1.66Вт Производитель: Vishay
Наличие:
3 943 шт

Под заказ:
1 400 шт
Цена от:
от 15,62

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SI2308BDS-T1-E3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.