SI2312BDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SI2312BDS-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
15,59 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 62+ 124+ 247+ 493+18,68 ₽ 18,21 ₽ 17,55 ₽ 16,67 ₽ 15,59 ₽Срок:В наличииНаличие:5 930Минимум:17Количество в заказ
-
1+ 62+ 124+ 247+ 493+18,68 ₽ 18,21 ₽ 17,55 ₽ 16,67 ₽ 15,59 ₽Срок:В наличииНаличие:108Минимум:17Количество в заказ
Внешние склады
-
859+ 975+20,93 ₽ 18,05 ₽Срок:26 днейНаличие:975Минимум:Мин: 859Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание SI2312BDS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
Наличие:
5 750 шт
Под заказ:
1 800 шт
Цена от:
от 18,43₽
Способы доставки в Калининград
Доставка SI2312BDS-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 351 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2363 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1574 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 733 ₽
СДЭК
от 3 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара