SI2312BDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SI2312BDS-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
15,43 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 62+ 124+ 247+ 493+18,48 ₽ 18,01 ₽ 17,36 ₽ 16,49 ₽ 15,43 ₽Срок:В наличииНаличие:5 930Минимум:17Количество в заказ
-
1+ 62+ 124+ 247+ 493+18,48 ₽ 18,01 ₽ 17,36 ₽ 16,49 ₽ 15,43 ₽Срок:В наличииНаличие:108Минимум:17Количество в заказ
Внешние склады
-
258+ 376+ 747+ 3733+34,04 ₽ 29,36 ₽ 28,62 ₽ 27,88 ₽Срок:25 днейНаличие:15 050Минимум:Мин: 258Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание SI2312BDS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
Наличие:
5 750 шт
Под заказ:
10 785 шт
Цена от:
от 14,29₽
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SI2312BDS-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
от 1 раб. дня
от 136 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара