SI2315BDS-T1-E3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 3A

Код товара: 232200

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI2315BDS-T1-E3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
P-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

12В

Ток стока макс.

3A

Сопротивление открытого канала

50 мОм

Мощность макс.

750мВт

Тип транзистора

P-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

900mВ

Заряд затвора

15нКл

Входная емкость

715пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SOT-23-3 (TO-236)

Вес брутто

0.041 г.

Описание SI2315BDS-T1-E3

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 3A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SI2315BDS-T1-E3 , Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 3A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
от 1 раб. дня
от 211
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.