SIHB22N65E-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22A

Код товара: 232608

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIHB22N65E-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

650В

Ток стока макс.

22A

Сопротивление открытого канала

180 мОм

Мощность макс.

227Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

110нКл

Входная емкость

2415пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

D2Pak (TO-263)

Вес брутто

1.35 г.

Описание SIHB22N65E-GE3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SIHB22N65E-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2948
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 1294
от 1 раб. дня
от 627
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.