Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (43)

IRL520NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10А 48Вт, 0.18 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

84 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 58,92₽

Акция

IRLI520NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.1A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB Full-Pak

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

8.1A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

375 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 43,38₽

Акция

IRFR13N15DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

86Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

620пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

12 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 219,30₽

IRL520NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 101,52₽

CSD13381F4 Транзистор полевой N-канальный 12В 2.1A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

SON3

Напряжение исток-сток макс.:

12В

Ток стока макс.:

2.1A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

500мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.1В

Заряд затвора:

1.4нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD13381F4T Транзистор полевой N-канальный 12В 2.1A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

SON3

Напряжение исток-сток макс.:

12В

Ток стока макс.:

2.1A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

500мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.1В

Заряд затвора:

1.4нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDG312P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-363

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.2A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

480мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

330пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN352AP Транзистор полевой P-канальный 30В 1.3А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.3A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

1.9нКл

Входная емкость:

150пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD13N10LTM Транзистор полевой N-канальный 100В 10A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

520пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD13N10TM Транзистор полевой N-канальный 100В 10A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF640PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 125Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

70нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF640SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

130Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

70нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

130Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

70нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF640STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

130Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

70нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFI640GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.8А 40Вт, 0.18 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

9.8A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

70нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP240PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 20А 150Вт, 0.18 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247AC

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

70нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFP31N50LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 31А 460Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247AC (High Voltage)

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

31A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

460Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

210нКл

Входная емкость:

5000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR13N15DPBF Транзистор полевой N-канальный 150В 14А 86Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

86Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

620пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

12 шт

Цена от:

от 219,30₽

Акция

IRL520NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 000 шт

Цена от:

от 101,52₽

IRL640PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А, 125Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"