SIRA00DP-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A

Код товара: 232731

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIRA00DP-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
1 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

30В

Ток стока макс.

100A

Сопротивление открытого канала

1 мОм

Мощность макс.

104Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

2.2В

Заряд затвора

220нКл

Входная емкость

11700пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

PowerPAKВ® SO-8

Вес брутто

0.131 г.

Описание SIRA00DP-T1-GE3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SIRA00DP-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146
EMS
от 1 раб. дня
от 654
Почта России
от 1 раб. дня
от 366
СДЭК
от 2 раб. дней
от 219
от 1 раб. дня
от 208
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.