SKB02N120ATMA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 6.2 а
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
SKB02N120ATMA1
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара