FQD12N20LTM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A

Код товара: 304460

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FQD12N20LTM
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Показать аналоги

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

200В

Ток стока макс.

9A

Сопротивление открытого канала

280 мОм

Мощность макс.

2.5Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

21нКл

Входная емкость

1080пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

DPAK/TO-252AA

Вес брутто

0.438 г.

Описание FQD12N20LTM

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

FQD12N20LTM-F085 Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FQD12N20LTM , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2444
EMS
от 1 раб. дня
от 1283
Почта России
от 1 раб. дня
от 492
СДЭК
от 2 раб. дней
от 289
от 1 раб. дня
от 216
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.