IRF7493TRPBF, Транзистор полевой N-канальный 80В 9.3A

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Транзистор полевой N-канальный 80В 9.3A
Код товара: 304774
Дата обновления: 18.08.2022 05:15
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка IRF7493TRPBF, Транзистор полевой N-канальный 80В 9.3A в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    SOIC8
  • Тип упаковки
    Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка
    4000 шт
  • Вес брутто
    0.2 г.
  • Напряжение исток-сток макс.
  • Ток стока макс.
  • Сопротивление открытого канала
  • Мощность макс.
  • Тип транзистора
  • Особенности
  • Пороговое напряжение включения макс.
    4V
  • Заряд затвора
  • Входная емкость
  • Тип монтажа

Описание IRF7493TRPBF

Транзистор полевой N-канальный 80В 9.3A

N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Максимальная рабочая температура+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока9,3 A
Тип корпусаSOIC
Максимальное рассеяние мощности2,5 Вт
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Ширина4мм
Прямая активная межэлектродная проводимость13S
Высота1.5мм
Размеры5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистораКремний
Количество элементов на ИС1
Длина5мм
Transistor ConfigurationОдинарный
Типичное время задержки включения8,3 нс
ПроизводительInfineon
Типичное время задержки выключения30 нс
СерияHEXFET
Минимальная рабочая температура-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Максимальное сопротивление сток-исток15 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток80 V
Число контактов8
КатегорияМощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs35 нКл при 10 В
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds1510 pF @ 25 V
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода1.3V
Вес, г0.15

Аналоги
  • Наименование
    Наличие
    Цена от
    Производитель
    Корпус
  • IRF7493PBF MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC Tube
    Наличие:
    28 шт
    По складам
    Минимум:
    шт
    Цена от:
    39,75
    INF
    SO-8
Хотите получить образцы?
Заказать образец