STGP10NC60KD, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 65 Вт
Цена от:
99,90 руб.
-
1+ 29+ 50+ 150+ 250+127,26 ₽ 117,60 ₽ 110,52 ₽ 104,88 ₽ 99,90 ₽Срок:В наличииНаличие:994Минимум:3Количество в заказ
-
1+ 29+ 50+ 150+ 250+127,26 ₽ 117,60 ₽ 110,52 ₽ 104,88 ₽ 99,90 ₽Срок:В наличииНаличие:4Минимум:1Количество в заказ
-
5+ 18+ 37+ 300+324,54 ₽ 309,06 ₽ 303,96 ₽ 285,90 ₽Срок:7 днейНаличие:300Минимум:Мин: 5Количество в заказ
-
5+ 19+323,04 ₽ 307,62 ₽Срок:7 днейНаличие:20Минимум:Мин: 5Количество в заказ
-
45+199,20 ₽Срок:25 днейНаличие:50Минимум:Мин: 45Количество в заказ
Технические параметры
Описание STGP10NC60KD
The STGP10NC60KD is a 600V short-circuit rugged IGBT that utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behaviour. The IGBT is ideal for use in SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies. Improved switch-off energy spread versus increasing temperature result in reduced switching losses.
• Lower on-voltage drop
• Lower CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
• Very soft ultra fast recovery anti-parallel diode
• 10µs Short-circuit withstand time
• Low VCE (sat) for reduced conduction losses
• Tight parameter distribution for design simplification and easy paralleling
| Технология/семейство | powermesh |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 20 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 30 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 65 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 17 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 72 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | to-220 |
| Вес, г | 2.5 |