GT30F124, Биполярный транзистор IGBT, 300 В, 30 А
Obsolete
форм.средн.вывод Обновлен дата код. Проверено.
Bipolar transistor IGBT, 300 V, 30 A
Биполярный транзистор IGBT, 300 В, 30 А
Биполярный транзистор IGBT, 300 В, 30 А
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
GT30F124
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220F
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт.
-
Вес брутто2.77 г.
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара