GT30F125, Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 200 А

Name: GT30F125, Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 200 А
Brand: Toshiba Semiconductor
SKU: 308113
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Obsolete форм.средн.вывод

Bipolar transistor IGBT, 330 V, 200 A

Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 200 А

Код товара: 308113

Дата обновления: 05.12.2021 10:15

Доставка GT30F125 , Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 200 А в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← GT30F124 AUIRGP35B60PD →