IRF8788TRPBF, Транзистор полевой N-канальный 30В 24А 2.5Вт

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R

Транзистор полевой N-канальный 30В 24А 2.5Вт

irf8788pbf pdf, 227,9 кБ

Код товара: 320194

Дата обновления: 26.04.2024 08:10

Цена от: 87,91 руб.

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка IRF8788TRPBF , Транзистор полевой N-канальный 30В 24А 2.5Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

SO-8
Тип упаковки

Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка

4000 шт
Вес брутто

0.22 г.
Напряжение исток-сток макс.

30В
Ток стока макс.

24A
Сопротивление открытого канала

2.8 мОм
Мощность макс.

2.5Вт
Тип транзистора

N-канал
Особенности

Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.

2.35В
Заряд затвора

66нКл
Входная емкость

5720пФ
Тип монтажа

Surface Mount

Описание IRF8788TRPBF

N-Ch 30V 24A 2.5W 0.0028R SO8
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 24 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2.8 мОм

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	24 А
Тип корпуса	SOIC
Максимальное рассеяние мощности	2,5 Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	4мм
Прямая активная межэлектродная проводимость	95S
Высота	1.5мм
Размеры	5 x 4 x 1.5мм
Количество элементов на ИС	1
Длина	5
Типичное время задержки включения	23 ns
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	23 ns
Серия	HEXFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	2.35V
Minimum Gate Threshold Voltage	1.35
Максимальное сопротивление сток-исток	3,8 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток	30 V
Число контактов	8
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	44 нКл при 4,5 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	5720 пФ при 15 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода	1V
Вес, г	0.15

Полные аналоги

Наименование

Наличие

Цена от

Производитель

Корпус
IRF8788PBF MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC Tube

Сообщить о поступлении

INF

SO-8

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← IRLMS6802TRPBF SI4442DY-T1-E3 →