IRF8788TRPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 24 А, 2.5 Вт
*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 24 А, 2.5 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF8788TRPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOIC8
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка4000 шт.
-
Вес брутто0.22 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
Описание IRF8788TRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 24 А, 2.5 Вт
N-Ch 30V 24A 2.5W 0.0028R SO8
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 24 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2.8 мОм
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 24 А |
| Тип корпуса | SOIC |
| Максимальное рассеяние мощности | 2,5 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 4мм |
| Прямая активная межэлектродная проводимость | 95S |
| Высота | 1.5мм |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 5 |
| Типичное время задержки включения | 23 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 23 ns |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.35V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.35 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 3,8 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 44 нКл при 4,5 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 5720 пФ при 15 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Прямое напряжение диода | 1V |
| Вес, г | 0.15 |
Аналоги
-
IRF8788PBF MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC TubeНаличие:29 шт.Минимум:шт.Цена от:67,27 ₽INFSOIC8
Сообщите мне о поступлении товара
