Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (30)

Акция

AUIRLR3705Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

130Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

2900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

366 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 152,04₽

IRF6215PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

290 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

860пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

230 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 270,00₽

IRF8788TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

2.8 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

5720пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

5 379 шт

Внешние склады:

2 030 шт

Цена от:

от 61,98₽

IRFR6215TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

295 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

860пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 682 шт

Внешние склады:

1 300 шт

Цена от:

от 51,60₽

IRLR3705ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

130Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

2900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

835 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 73,92₽

SPW16N50C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 560В 16A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247

Напряжение исток-сток макс.:

560В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

70 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 312,78₽

STD60NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 60А 110Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

1810пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

172 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 69,36₽

AUIRF6215 Полевой транзистор, P-канальный, 150 В, 13 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

290 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

860пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDB070AN06A0 Транзистор полевой N-канальный 60В 80A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

175Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

3000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDB8453LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 7 мОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

16.1A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

3545пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDMC7660S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

2.2 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

4325пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7670AS Полевой транзистор, N-канальный, 30 В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

4225пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6570A Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 15 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

4700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6215SPBF Транзистор полевой P-канальный 150В 13A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

290 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

860пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF8788PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

2.8 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

5720пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

7 409 шт

Цена от:

от 61,98₽

Акция

IRFI740GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.4А 40Вт, 0.55 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

400В

Ток стока макс.:

5.4A

Сопротивление открытого канала:

550 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

1370пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR6215PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13А 110Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

295 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

860пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 982 шт

Цена от:

от 51,60₽

IRL640PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А, 125Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL640SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт, 0.18 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"