GT30J124, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А
Bipolar transistor IGBT, 600 V, 30 A
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
GT30J124
Технические параметры
-
КорпусTO-220F
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт.
-
Вес брутто3.5 г.
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара