GT30J127, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А/200 А, 25 Вт

Name: GT30J127, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А/200 А, 25 Вт
Brand: Toshiba Semiconductor
SKU: 327591
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Obsolete форм.средн.вывод

Bipolar transistor IGBT, 600 V, 30 A/200 A, 25 W

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А/200 А, 25 Вт

GT30J127.PDF pdf, 220,9 кБ

Код товара: 327591

Дата обновления: 20.12.2021 10:15

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка GT30J127 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А/200 А, 25 Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 10 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

TO-220F
Тип упаковки

Tube (туба)
Нормоупаковка

50 шт.
Вес брутто

3.5 г.

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← GT30J124 SGW30N60HS →