FGL40N120ANDTU, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
IGBT Chip N-CH 1200V 64A 500 W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FGL40N120ANDTU
Документы:
Описание FGL40N120ANDTU
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
| Технология/семейство | npt |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 64 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 160 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 500 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 15 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 110 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | TO-264 |
| Структура | n-канал+диод |
| Вес, г | 10 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара