IRFI640GPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.8А 40Вт, 0.18 Ом
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
99,26 руб.
-
1+ 10+ 20+ 50+ 100+129,18 ₽ 127,66 ₽ 125,79 ₽ 123,39 ₽ 120,08 ₽Срок:В наличииНаличие:139Минимум:3Количество в заказ
-
7+ 25+ 100+230,34 ₽ 219,37 ₽ 215,72 ₽Срок:7 днейНаличие:100Минимум:Мин: 7Количество в заказ
-
7+ 26+ 51+231,24 ₽ 220,23 ₽ 216,56 ₽Срок:7 днейНаличие:60Минимум:Мин: 7Количество в заказ
-
73+ 105+ 210+ 1048+121,22 ₽ 104,53 ₽ 101,90 ₽ 99,26 ₽Срок:25 днейНаличие:1 050Минимум:Мин: 73Количество в заказ
Технические параметры
Описание IRFI640GPBF
The IRFI640GPBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware. The moulding compound used provides a high isolation capability and a low thermal resistance between the tab and external heat sink. The isolation is equivalent to using a 100 micron mica barrier with standard product. The FULLPAK is mounted to a heat sink using a single clip or by a single screw fixing.
• Isolated package
• 2.5kVRMS (t = 60s, f = 60Hz) High voltage isolation
• 4.8mm Sink to lead creepage distance
• Dynamic dV/dt rating
• Low thermal resistance
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.4 ом при 3.5a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 35 |
| Крутизна характеристики, S | 3.2 |
| Корпус | to220fp |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Вес, г | 2 |
