IRFI640GPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9.8 А, 40 Вт, 0.18 Ом

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9.8 А, 40 Вт, 0.18 Ом
Код товара: 66321
Дата обновления: 23.06.2021 04:10
Цена от: 105,72 руб.
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка IRFI640GPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9.8 А, 40 Вт, 0.18 Ом в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    TO-220F
  • Тип упаковки
    Tube (туба)
  • Нормоупаковка
    50 шт.
  • Вес брутто
    2.87 г.
  • Напряжение исток-сток макс.
  • Ток стока макс.
  • Мощность макс.
    40W
  • Тип транзистора

Описание IRFI640GPBF

Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9.8 А, 40 Вт, 0.18 Ом

The IRFI640GPBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware. The moulding compound used provides a high isolation capability and a low thermal resistance between the tab and external heat sink. The isolation is equivalent to using a 100 micron mica barrier with standard product. The FULLPAK is mounted to a heat sink using a single clip or by a single screw fixing.

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.4 ом при 3.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт35
Крутизна характеристики, S3.2
Корпусto220fp
Пороговое напряжение на затворе4
Вес, г2