IRG4PF50WDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт
Цена от:
1 981,80 руб.
Внешние склады
-
4+ 6+ 11+ 52+2 420,22 ₽ 2 086,98 ₽ 2 034,36 ₽ 1 981,80 ₽Срок:25 днейНаличие:56Минимум:Мин: 4Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRG4PF50WDPBF
Характеристики
| Структура | n-канал+диод |
|---|---|
| Максимальное напряжение кэ ,В | 900 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 51 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.7 |
| Управляющее напряжение,В | 6 |
| Мощность макс.,Вт | 200 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Температурный диапазон,С | -55…150 |
| Корпус | to-247 |
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка IRG4PF50WDPBF , Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 345 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2304 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 3 раб. дней
от 743 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара