IRG7PH42UPBF, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 78 А, 385 Вт

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Obsolete
IGBT 1200V 78A 385W

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 78 А, 385 Вт
Код товара: 85990
Дата обновления: 22.02.2023 17:15
Доставка IRG7PH42UPBF , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 78 А, 385 Вт в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 1488
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2004
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 6 раб. дней
от 1487
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

  • Корпус
    TO-247AC
  • Тип упаковки
    Tube (туба)
  • Нормоупаковка
    25 шт
  • Вес брутто
    8.5 г.
  • Макс. напр. коллектор-эмиттер
  • Макс. ток коллектора
  • Импульсный ток коллектора макс.
  • Макс. рассеиваемая мощность
  • Переключаемая энергия

Описание IRG7PH42UPBF

Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники.

Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF, IRG7PH46UPBF и также аналогичные приборы со встроенным диодом с малым временем восстановления. Новое семейство сверхбыстрых 1200 В транзисторов разработано на основе Trench технологии с плоской подложкой Field-Stop, которая позволяет значительно сократить потери на переключение и проводимость для повышения плотности мощности и эффективности работы на высоких частотах. Транзисторы также оптимизированы для применений, не требующих защиты от короткого замыкания, таких как UPS, солнечные инвертеры, сварочное оборудование, и дополняют линейку продукции IR для управления приводами со стойкостью к воздействию тока короткого замыкания в течение 10 мс.

Линейка транзисторов охватывает диапазон токов 20-40 А для корпусированных приборов и до 150 А для кристаллов. Ключевыми преимуществами IGBT является квадратная область безопасной работы (RBSOA), положительный температурный коэффициент напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCEon), малое напряжение насыщения VCEon для уменьшения мощности рассеивания и повышения плотности энергии.

Характеристики

Структураn-канал
Максимальное напряжение кэ ,В1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A90
Напряжение насыщения при номинальном токе, В1.7
Управляющее напряжение,В6
Мощность макс.,Вт385
Крутизна характеристики, S32
Температурный диапазон,С-55…175
Корпусto247ac