8 800 1000 321 - контакт центр

IRG7PH42UPBF, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 78 А, 385 Вт

Obsolete
  • IRG7PH42UPBF
    Спецпредложение

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
Infineon Technologies

Описание

IGBT 1200V 78A 385W

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 78 А, 385 Вт

Документация

DataSheet
Код товара: 85990
Дата обновления: 13.12.2018 10:30
Цена за 1шт: 393.96 руб.
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 25 шт: 341.220 руб.
от 10 шт: 352.230 руб.
от 5 шт: 361.050 руб.
от 3 шт: 376.190 руб.
от 1 шт: 393.960 руб.
120 штНа складе1 шт.1 шт.
* Цены указаны с учетом скидки.
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 51 шт: 343.361 руб.
от 13 шт: 352.396 руб.
от 10 шт: 367.454 руб.
52 шт.3 раб. дн.1 шт.10 шт.
от 37 шт: 471.478 руб.
от 10 шт: 483.885 руб.
от 1 шт: 504.562 руб.
100 шт.7 раб. дн.1 шт.1 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
TO-247-3
Нормоупаковка
25 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Вес нетто
8.5 г
Макс. напр. коллектор-эмиттер
1200 В
Макс. ток коллектора
90 А
Импульсный ток коллектора макс.
90 А
Напр. насыщения К-Э макс.
2 В
Макс. рассеиваемая мощность
385 Вт
Переключаемая энергия
2.11 мДж
Заряд затвора
157 нКл
Время задержки вкл./выкл.
25 нс/229 нс

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
16 шт.
Интернет-магазин
272 шт.

Подробное описание

Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники.

Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF, IRG7PH46UPBF и также аналогичные приборы со встроенным диодом с малым временем восстановления. Новое семейство сверхбыстрых 1200 В транзисторов разработано на основе Trench технологии с плоской подложкой Field-Stop, которая позволяет значительно сократить потери на переключение и проводимость для повышения плотности мощности и эффективности работы на высоких частотах. Транзисторы также оптимизированы для применений, не требующих защиты от короткого замыкания, таких как UPS, солнечные инвертеры, сварочное оборудование, и дополняют линейку продукции IR для управления приводами со стойкостью к воздействию тока короткого замыкания в течение 10 мс.

Линейка транзисторов охватывает диапазон токов 20-40 А для корпусированных приборов и до 150 А для кристаллов. Ключевыми преимуществами IGBT является квадратная область безопасной работы (RBSOA), положительный температурный коэффициент напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCEon), малое напряжение насыщения VCEon для уменьшения мощности рассеивания и повышения плотности энергии.

Характеристики

Структураn-канал
Максимальное напряжение кэ ,В1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A90
Напряжение насыщения при номинальном токе, В1.7
Управляющее напряжение,В6
Мощность макс.,Вт385
Крутизна характеристики, S32
Температурный диапазон,С-55…175
Корпусto247ac

C этим товаром покупают:

Диоды
STTH6003CW
Цена от
178.77 руб.
Транзисторы
STP4NK60Z
Цена от
23.14 руб.
Транзисторы
IRFR9120NPBF
Цена от
17.21 руб.
Оптоэлектроника
PS2505-1-A - TO-247-3
Цена от
20.81 руб.

Поделиться:
сообщение об ошибке