IRG4PF50WDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт
Obsolete
900W 51A 200W TO247AC
Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRG4PF50WDPBF
Документы:
Описание IRG4PF50WDPBF
Характеристики
Структура | n-канал+диод |
---|---|
Максимальное напряжение кэ ,В | 900 |
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 51 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.7 |
Управляющее напряжение,В | 6 |
Мощность макс.,Вт | 200 |
Крутизна характеристики, S | - |
Температурный диапазон,С | -55…150 |
Корпус | to-247 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара