8 800 1000 321 - контакт центр
  • IRG4PF50WDPBF

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
Infineon Technologies

Описание

IGBT Chip N-CH 900V 51A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт

Документация

DataSheet
Справочная информация
Код товара: 85989
Дата обновления: 18.07.2018 15:00
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 50 шт: 306.940 руб.
от 17 шт: 318.290 руб.
от 9 шт: 334.330 руб.
от 5 шт: 361.690 руб.
от 1 шт: 389.050 руб.
561 шт 1 день1 шт.1 шт.
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 1 322 шт: 298.373 руб.
от 265 шт: 303.897 руб.
от 53 шт: 309.422 руб.
от 14 шт: 317.710 руб.
от 11 шт: 331.522 руб.
1 453 шт.3 дн.1 шт.11 шт.
от 59 шт: 278.709 руб.
от 15 шт: 286.174 руб.
от 2 шт: 298.615 руб.
90 шт.7 дн.1 шт.2 шт.
от 300 шт: 291.460 руб.
от 75 шт: 296.759 руб.
от 50 шт: 304.707 руб.
400 шт.10 дн.25 шт.50 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
TO-247-3
Нормоупаковка
25 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Вес нетто
8.5 г
Макс. напр. коллектор-эмиттер
900 В
Макс. ток коллектора
51 А
Импульсный ток коллектора макс.
204 А
Напр. насыщения К-Э макс.
2.7 В
Макс. рассеиваемая мощность
200 Вт
Переключаемая энергия
2.63 мДж
Заряд затвора
160 нКл
Время задержки вкл./выкл.
71 нс/150 нс
Время обратного восстановления
90 нс

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
74 шт.
Интернет-магазин
2504 шт.

Подробное описание

Характеристики

Структураn-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В900
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A51
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.7
Управляющее напряжение,В6
Мощность макс.,Вт200
Крутизна характеристики, S-
Температурный диапазон,С-55…150
Корпусto-247

C этим товаром покупают:

Индуктивные компоненты
М2500НМС1-11 Ш20*28
Цена от
440.22 руб.
Разъемы, Соединители
WF 02MR
Цена от
1.10 руб.
Разъемы, Соединители
WF 03MR
Цена от
1.77 руб.

Поделиться:
сообщение об ошибке