IRG4PH50UPBF, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт
Obsolete
1200V UltraFast 5-40 kHz Discrete IGBT in a TO-247
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRG4PH50UPBF
Документы:
Описание IRG4PH50UPBF
Характеристики
Структура | n-канал |
---|---|
Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 45 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.2 |
Управляющее напряжение,В | 6 |
Мощность макс.,Вт | 200 |
Крутизна характеристики, S | 35 |
Температурный диапазон,С | -55…150 |
Корпус | to-247 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара