IRG4PH50SPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 33 а, 200 вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Obsolete
1200V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-247AC package
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 33 А, 200 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 33 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRG4PH50SPBF
Документы:
Описание IRG4PH50SPBF
Single IGBT over 21A, Infineon
Optimised IGBTs designed for medium frequency applications with fast response and provide the user with the highest efficiency available. Utilising FRED diodes optimised to provide the best performance with IGBT's
| Технология/семейство | gen4 |
| Наличие встроенного диода | нет |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 57 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 114 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 200 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 32 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 845 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | to-247ac |
| Структура | n-канал |
| Управляющее напряжение,В | 6 |
| Крутизна характеристики, S | 40 |
| Вес, г | 7.5 |
Сообщите мне о поступлении товара