IRG4PH50SPBF, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 33 А, 200 Вт

Код товара: 88439

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRG4PH50SPBF
Производитель:
Описание Eng:
1200V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-247AC package
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
25 шт
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
57 А
Импульсный ток коллектора макс.:
114 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
1.8 мДж

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

1200 В

Макс. ток коллектора

57 А

Импульсный ток коллектора макс.

114 А

Макс. рассеиваемая мощность

200 Вт

Переключаемая энергия

1.8 мДж

Вес брутто

7.2 г.

Описание IRG4PH50SPBF

Single IGBT over 21A, Infineon
Optimised IGBTs designed for medium frequency applications with fast response and provide the user with the highest efficiency available. Utilising FRED diodes optimised to provide the best performance with IGBT's

Технология/семействоgen4
Наличие встроенного диоданет
Максимальное напряжение КЭ ,В1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A57
Импульсный ток коллектора (Icm), А114
Напряжение насыщения при номинальном токе, В1.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс32
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс845
Рабочая температура (Tj), °C-55…+150
Корпусto-247ac
Структураn-канал
Управляющее напряжение,В6
Крутизна характеристики, S40
Вес, г7.5

Документы и сертификаты

Документация

Способы доставки в Калининград

Доставка IRG4PH50SPBF , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 33 А, 200 Вт в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.