IRG4PH50SPBF, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 33 А, 200 Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IRG4PH50SPBF
Производитель:
Описание Eng:
1200V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-247AC package
Тип упаковки:
Tube (туба)
В упаковке:
25 шт
Корпус:
TO-247AC
Статус:
Obsolete
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
57 А
Импульсный ток коллектора макс.:
114 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
1.8 мДж
Цена от:
16 265,34 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание IRG4PH50SPBF
Single IGBT over 21A, Infineon
Optimised IGBTs designed for medium frequency applications with fast response and provide the user with the highest efficiency available. Utilising FRED diodes optimised to provide the best performance with IGBT's
| Технология/семейство | gen4 |
| Наличие встроенного диода | нет |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 57 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 114 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 200 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 32 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 845 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | to-247ac |
| Структура | n-канал |
| Управляющее напряжение,В | 6 |
| Крутизна характеристики, S | 40 |
| Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IRG4PH50SPBF , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 33 А, 200 Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 257 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
