IXGT30N120B3D1, Транзистор IGBT одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXGT30N120B3D1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT, SINGLE, N-CH, 1.2KV, 50A, TO-268; DC Collector Current:50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.96V; Power Dissipation Pd:300W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-268; No.
В упаковке:
1 шт
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
880,64 ₽
Нет в наличии
Технические параметры
Описание IXGT30N120B3D1
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXGT30N120B3D1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 2 раб. дней
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара