Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
Акция
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
2 782 шт

Внешние склады:
700 шт
Аналоги:
80 453 шт
Цена от:
от 1,78
BCP56T1G BCP56T1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 1.5 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
130 МГц
Наличие:
2 737 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
10 041 шт
Цена от:
от 8,36
Акция
BC369ZL1G BC369ZL1G Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 1.0 А, 0.625 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92/formed lead
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
20 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
85
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
65 МГц
Наличие:
2 624 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6,30
Акция
2N5551-YBU 2N5551-YBU Транзистор биполярный NPN 160В 0.6А 625мВт 3-Pin TO-92 россыпь
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-92-3
Тип транзистора:
NPN
Наличие:
2 588 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 4,28
MJD112T4G MJD112T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
25 МГц
Наличие:
2 478 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 059 шт
Цена от:
от 38,45
Акция
NJT4031NT3G NJT4031NT3G Биполярный транзистор NPN 40В 3A SOT-223
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
215 МГц
Наличие:
2 443 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
510 шт
Цена от:
от 10,07
Акция
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
2 408 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 0,64
MJD31CT4G MJD31CT4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
3 МГц
Наличие:
2 394 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
15 845 шт
Цена от:
от 32,91
2N3906BU 2N3906BU Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А, 0.35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
2 360 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
7 420 шт
Цена от:
от 6,84
BCP53T1G BCP53T1G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1.5 А, 1.5 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
2 326 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 061 шт
Цена от:
от 11,02
Акция
BC549CTA BC549CTA Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.5 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-92_formed_leads
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
2 250 шт

Внешние склады:
900 шт
Цена от:
от 5,28
Акция
MJD127T4G MJD127T4G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
4 МГц
Наличие:
2 115 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 487 шт
Цена от:
от 69,57
Акция
MMBT489LT1G MMBT489LT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
710 мВт
Коэффициент усиления hFE:
300
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
2 087 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 9,10
Акция
MMBT6427LT1G MMBT6427LT1G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 40 В, 0.5 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20000
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
2 059 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 5,15
Акция
MJD45H11T4G MJD45H11T4G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, 20Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
90 МГц
Наличие:
2 046 шт

Внешние склады:
2 100 шт
Аналоги:
17 175 шт
Цена от:
от 34,91
Акция
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 0.2 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
15 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
2 010 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 3,11
Акция
MMBT3904WT1G MMBT3904WT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0.35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
1 979 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 4,11
Акция
BCX71J BCX71J Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Наличие:
1 929 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 266 шт
Цена от:
от 1,99
Акция
PZT2222AT1G PZT2222AT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 1.5 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
1 873 шт

Внешние склады:
890 шт
Аналоги:
525 шт
Цена от:
от 9,00
BC33725TA BC33725TA Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.8 А, 0.625 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92/formed lead
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
800 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
160
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
1 792 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 7,71
На странице: