Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

₁₂₂₈

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1228)

MJD32CT4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А, 1.56Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

3 А

Мощность Макс.:

1.56 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

3 МГц

Наличие:

2 548 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

5 201 шт

Цена от:

от 28,13₽

MJD112T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

25 МГц

Наличие:

2 478 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 057 шт

Цена от:

от 41,01₽

-5% Акция

MMBT2222LT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.6 А, 0.225 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

30 В

Ток коллектора Макс.:

600 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

250 МГц

Наличие:

2 408 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 0,64₽

2N3906BU Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А, 0.35 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

200 мА

Мощность Макс.:

625 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

250 МГц

Наличие:

2 347 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

10 270 шт

Цена от:

от 7,29₽

PZT3904T1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 1.5 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

200 мА

Мощность Макс.:

1.5 Вт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

300 МГц

Наличие:

2 318 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 23,27₽

-5% Акция

BC549CTA Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.5 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-92_formed_leads

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

30 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

500 мВт

Коэффициент усиления hFE:

420

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

300 МГц

Наличие:

2 211 шт

Внешние склады:

800 шт

Цена от:

от 5,35₽

-5% Акция

MJD127T4G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

2 105 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 537 шт

Цена от:

от 69,94₽

-5% Акция

MMBT489LT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

30 В

Ток коллектора Макс.:

1 А

Мощность Макс.:

710 мВт

Коэффициент усиления hFE:

300

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Наличие:

2 060 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 9,15₽

-5% Акция

MMBT6427LT1G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 40 В, 0.5 А, 0.225 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

225 мВт

Коэффициент усиления hFE:

20000

Тип монтажа:

Поверхностный

Наличие:

2 059 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 5,18₽

-5% Акция

MMBT3904WT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0.35 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

200 мА

Мощность Макс.:

150 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

300 МГц

Наличие:

1 968 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 4,16₽

-5% Акция

BCX71J Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Наличие:

1 929 шт

Внешние склады:

-1 929 шт

Аналоги:

1 266 шт

Цена от:

от 0,42₽

BC640TA Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1.0 А, 0.8 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-92_formed_leads

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

1 А

Мощность Макс.:

1 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

100 МГц

Наличие:

1 920 шт

Внешние склады:

40 шт

Цена от:

от 16,75₽

Акция

MJD45H11T4G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, 20Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

90 МГц

Наличие:

1 821 шт

Внешние склады:

2 090 шт

Аналоги:

14 453 шт

Цена от:

от 36,94₽

BC33725TA Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.8 А, 0.625 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92/formed lead

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

45 В

Ток коллектора Макс.:

800 мА

Мощность Макс.:

625 мВт

Коэффициент усиления hFE:

160

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

100 МГц

Наличие:

1 779 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 8,22₽

Акция

BCP53-10T1G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1.5 А, 1.5 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

1.5 А

Мощность Макс.:

1.5 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

50 МГц

Наличие:

1 736 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 9,06₽

-5% Акция

MMBT2369ALT1G Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 0.2 А, 0.225 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

15 В

Ток коллектора Макс.:

200 мА

Мощность Макс.:

225 мВт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Наличие:

1 718 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 3,15₽

-5% Акция

SBCP56-16T1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

1 А

Мощность Макс.:

1.5 Вт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

130 МГц

Наличие:

1 693 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

312 717 шт

Цена от:

от 7,44₽

-5% Акция

BC849BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.25 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

30 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

300 мВт

Коэффициент усиления hFE:

200

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Наличие:

1 621 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

506 шт

Цена от:

от 0,77₽

-5% Акция

KSC2328A Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 2 А, 1 Вт (Комплементарная пара KSА928А)

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92MOD

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

30 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

1 Вт

Наличие:

1 595 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 2,11₽

MJD31CT4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

3 А

Мощность Макс.:

1.56 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

3 МГц

Наличие:

1 578 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

14 716 шт

Цена от:

от 34,82₽