Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1111)
Акция BC547CG Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 625mW Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
143 579 шт
Цена от:
от 1,35
BC547CTA Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92_formed_leads Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 500mW Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
143 579 шт
Цена от:
от 1,35
BC547CTFR Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 500mW Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
143 579 шт
Цена от:
от 1,35
BC548BTA Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 500mW Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной
Акция BC548CG Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 625mW Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Сквозной
BC548CTA Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 500mW Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Сквозной
BC549CG Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 625mW Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной
Акция BC549CTA Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92_formed_leads Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 500mW Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Сквозной
BC550CBU Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 500mW Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Сквозной
BC550CG Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 625mW Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Сквозной
BC550CTA Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 500mW Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Сквозной
BC556ABU Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 500mW Коэффициент усиления hFE: 110 Тип монтажа: Сквозной
BC556ATA Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 500mW Коэффициент усиления hFE: 110 Тип монтажа: Сквозной
BC556BG Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 625mW Коэффициент усиления hFE: 180 Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 187 шт
Цена от:
от 1,59
Акция BC556BTA Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 500mW Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 187 шт
Цена от:
от 1,59
BC556BTF Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 500mW Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 187 шт
Цена от:
от 1,59
BC556BTFR Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 500mW Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 187 шт
Цена от:
от 1,59
BC557ATA Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 500mW Коэффициент усиления hFE: 110 Тип монтажа: Сквозной
BC557BRL1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 625mW Коэффициент усиления hFE: 180 Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
12 282 шт
Цена от:
от 1,37
BC557BTA Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92_formed_leads Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 500mW Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
12 282 шт
Цена от:
от 1,37
На странице: