Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
-6% Акция
MMBT489LT1G MMBT489LT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
710 мВт
Коэффициент усиления hFE:
300
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
2 115 шт

Внешние склады:
18 000 шт
Цена от:
от 5,84
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 0.05 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
40 МГц
Наличие:
2 942 шт

Внешние склады:
30 000 шт
Цена от:
от 3,24
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
150 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
1 166 шт

Внешние склады:
206 940 шт
Аналоги:
536 837 шт
Цена от:
от 1,65
Акция
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 0.6 А, 0,225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
140 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
3 607 шт

Внешние склады:
48 000 шт
Цена от:
от 2,10
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
22 212 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Аналоги:
772 125 шт
Цена от:
от 2,14
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 1 А, 0.31 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
310 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
3 392 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 9,19
-6% Акция
MMBT6427LT1G MMBT6427LT1G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 40 В, 0.5 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20000
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
2 917 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 5,29
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.2 А, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
700 МГц
Наличие:
5 933 шт

Внешние склады:
21 000 шт
Цена от:
от 4,82
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 0.5 А, 0.3 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
9 324 шт

Внешние склады:
15 000 шт
Цена от:
от 5,86
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 0.5 А, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
7 604 шт

Внешние склады:
45 000 шт
Цена от:
от 2,41
Акция
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
9 013 шт

Внешние склады:
67 000 шт
Аналоги:
224 599 шт
Цена от:
от 1,60
Акция
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
Наличие:
7 766 шт

Внешние склады:
51 000 шт
Цена от:
от 2,11
MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
23 727 шт

Внешние склады:
93 400 шт
Аналоги:
184 477 шт
Цена от:
от 1,71
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
223 шт

Внешние склады:
63 000 шт
Аналоги:
316 958 шт
Цена от:
от 1,67
-6% Акция
MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
5 721 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
257 460 шт
Цена от:
от 1,32
Акция
MMBTA64LT1G MMBTA64LT1G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А, 0.3 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
Наличие:
4 486 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1,48
MMBTA92LT1G MMBTA92LT1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 0.25 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
51 982 шт

Внешние склады:
77 840 шт
Аналоги:
467 992 шт
Цена от:
от 1,85
-6% Акция
MPS2222AG MPS2222AG Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
1 326 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1,44
-6% Акция
MPSA05G MPSA05G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
6 395 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 3,63
Акция
MPSA42G MPSA42G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
704 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
17 000 шт
Цена от:
от 7,20
На странице: