Одиночные MOSFET транзисторы

710
Корпус: D2PAK/TO263
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (710)
BUK964R4-40B,118 BUK964R4-40B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 174A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
254Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
64нКл
Входная емкость:
7124пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK964R8-60E,118 BUK964R8-60E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
4.4 мОм
Мощность макс.:
234Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
9710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9675-100A,118 BUK9675-100A,118 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 23 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2PAK/TO263
Акция
BUZ91A BUZ91A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8А 0.9Ом 150Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
8A
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
FCB070N65S3 FCB070N65S3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 44А 0.070 Ом, 312Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK-3
FCB11N60TM FCB11N60TM MOSFET N-канал 600В/11А/0.32 Ом, Ультранизкий заряд затвора (тип. Qg = 40 нК), SuperFET
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
FCB36N60NTM FCB36N60NTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 36A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
36A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
312Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
112нКл
Входная емкость:
4785пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB024N06 FDB024N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
395Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
226нКл
Входная емкость:
14885пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB031N08 FDB031N08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
220нКл
Входная емкость:
15160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
3.5 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
124нКл
Входная емкость:
6400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB035N10A FDB035N10A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3.5 мОм
Мощность макс.:
333Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
116нКл
Входная емкость:
7295пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB045AN08A0 FDB045AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 90A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
138нКл
Входная емкость:
6600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB047N10 FDB047N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
15265пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB050AN06A0 FDB050AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
245Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
3900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB060AN08A0 FDB060AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
255Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
5150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB070AN06A0 FDB070AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
175Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB075N15A FDB075N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 130A D2PAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
130A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.:
333Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
100нКл @ 10В
Входная емкость:
7350пФ @ 75В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB075N15A-F085 FDB075N15A-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 130A D2PAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
130А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB082N15A FDB082N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 117A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
117A
Сопротивление открытого канала:
8.2 мОм
Мощность макс.:
231Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
6040пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB110N15A FDB110N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 92A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
92A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
234Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
4510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"