Одиночные MOSFET транзисторы

710
Корпус: D2PAK/TO263
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (710)
SIHB12N60E-GE3 SIHB12N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
147Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
937пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHB12N65E-GE3 SIHB12N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DBІPAK (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
156Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1224пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHB15N60E-GE3 SIHB15N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 15A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHB15N65E-GE3 SIHB15N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
15A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHB22N60E-GE3 SIHB22N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
1920пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHB22N65E-GE3 SIHB22N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2415пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHB24N65E-GE3 SIHB24N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
145 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
122нКл
Входная емкость:
2740пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHB30N60E-GE3 SIHB30N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHB33N60E-GE3 SIHB33N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 33A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
99 мОм
Мощность макс.:
278Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
3508пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SMP3003-DL-1E SMP3003-DL-1E Транзистор полевой MOSFET P-канальный 75В 100A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263 (DВІPak)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Заряд затвора:
280нКл
Входная емкость:
13400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SPB04N60C3ATMA1 SPB04N60C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 4.5A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 17A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
P-TO263-3
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
177нКл
Входная емкость:
2300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SPB20N60C3ATMA1 SPB20N60C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20.7A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
114нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SPB20N60S5ATMA1 SPB20N60S5ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
103нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SQM50034E_GE3 SQM50034E_GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A Rds=3.9мОм
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
STB100N10F7 STB100N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
4369пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB100NF04T4 STB100NF04T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.6 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
5100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB10N60M2 STB10N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7.5A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13.5нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB10N95K5 STB10N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 8A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
630пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB10NK60ZT4 STB10NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
115Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"