Одиночные MOSFET транзисторы

873
Корпус: TO220F
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (873)
IRFB7746PBF IRFB7746PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 59A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
10.6 мОм
Мощность макс.:
99Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
83нКл
Входная емкость:
3049пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFB812PBF IRFB812PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.6A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
2.2 Ом
Мощность макс.:
78Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
810пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI1010NPBF IRFI1010NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 49А 58Вт, 0.012 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
49A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
58Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI4110GPBF IRFI4110GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 72A TO220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
72A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм @ 43А, 10В
Мощность макс.:
61Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
290нКл @ 10В
Входная емкость:
9540пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI4228PBF IRFI4228PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 34А TO-220F
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 43A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
43A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
9.3 мОм @ 26А, 10В
Мощность макс.:
47Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 150 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
4910пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI620GPBF IRFI620GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
260пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI7536GPBF IRFI7536GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 103A TO220
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Full Pack
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
86A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.4 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 150 µA
Заряд затвора:
195нКл @ 10В
Входная емкость:
6600пФ @ 48В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI9540GPBF IRFI9540GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 11А 48Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFIB41N15DPBF IRFIB41N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 41A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
41A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2520пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFIB5N65APBF IRFIB5N65APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 5.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
5.1A
Сопротивление открытого канала:
930 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1417пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFIBF20GPBF IRFIBF20GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.2А 30Вт, 8 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFIZ24NPBF IRFIZ24NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 14A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
29Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
370пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFIZ34GPBF IRFIZ34GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 20A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFIZ44NPBF IRFIZ44NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 31А 45Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFS630B IRFS630B Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 5.9 А, 35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Акция
IRFS644A IRFS644A Транзистор полевой N-канальный 250В 7.9А 43Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
IRFZ34PBF IRFZ34PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
88Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFZ44VZPBF IRFZ44VZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 57A TO-220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
57A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.:
92Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
65нКл @ 10В
Входная емкость:
1690пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"