Одиночные MOSFET транзисторы

₈₇₃

Корпус: TO220F

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (873)

STP35N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 27А 160Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

27A

Сопротивление открытого канала:

98 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

83нКл

Входная емкость:

3750пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP35NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 40А 115Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

115Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

55нКл

Входная емкость:

1550пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP36NF06FP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

31нКл

Входная емкость:

690пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

STP3N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

620В

Ток стока макс.:

2.7A

Сопротивление открытого канала:

2.5 Ом

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

385пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP3NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.4A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

2.4A

Сопротивление открытого канала:

3.6 Ом

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

11.8нКл

Входная емкость:

311пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP3NK60ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.4A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

2.4A

Сопротивление открытого канала:

3.6 Ом

Мощность макс.:

20Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

11.8нКл

Входная емкость:

311пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP3NK90Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

4.8 Ом

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

22.7нКл

Входная емкость:

590пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP40NF10 Транзистор полевой N-канальный 100В 50A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Сообщить о поступлении

STP4NK50ZD Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

2.7 Ом

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

310пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP50NF25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 45A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

45A

Сопротивление открытого канала:

69 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

68.2нКл

Входная емкость:

2670пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP5NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.6 Ом

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

690пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

STP60N55F3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

8.5 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

2200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP60NF06FP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

30A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

16 мОм @ 30А, 10В

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

66нКл @ 10В

Входная емкость:

1810пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP60NF06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 60A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP60NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

104нКл

Входная емкость:

4270пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP6N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 5.5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

620В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

875пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP75NS04Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 33В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

33В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

11 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

1860пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP7N52K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 6.2A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

525В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

980 мОм

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

737пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP7NK40ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.4A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

400В

Ток стока макс.:

5.4A

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

535пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP80NF06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

3850пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"