Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
99
Корпус:
TO3P
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (99)
AP88N30W
Полевой транзистор, N-канальный, 330В 88А 150Вт
Производитель:
Advanced Power Electronics Corp.
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
330В
Ток стока макс.:
88A
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
FCA16N60N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
199 мОм
Мощность макс.:
134.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
52.3нКл
Входная емкость:
2170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCA20N60_F109
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
3080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCA47N60F
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
73 мОм
Мощность макс.:
417Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
8000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCA47N60_F109
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
417Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
8000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDA032N08
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A TO-3P
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.2 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
220нКл @ 10В
Входная емкость:
15160пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDA16N50_F109
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
16.5A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
205Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1945пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDA18N50
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 19A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
265 мОм
Мощность макс.:
239Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDA50N50
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 48A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
48A
Сопротивление открытого канала:
105 мОм
Мощность макс.:
625Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
137нКл
Входная емкость:
6460пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDA70N20
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 70A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
417Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
3970пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA10N80C_F109
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
1.1 Ом
Мощность макс.:
240Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
2800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA13N50CF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
480 мОм
Мощность макс.:
218Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
2055пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA13N80_F109
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 12.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
12.6A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
88нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA160N08
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 160A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
290нКл
Входная емкость:
7900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA170N06
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 170A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
170A
Сопротивление открытого канала:
5.6 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
290нКл
Входная емкость:
9350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA19N60
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 18.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
18.5A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA24N60
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 23.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
23.5A
Сопротивление открытого канала:
240 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
145нКл
Входная емкость:
5500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA27N25
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 27A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
210Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
2450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA28N15
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33А 227Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA32N20C
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
82 мОм
Мощность макс.:
204Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2220пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара