Одиночные MOSFET транзисторы

45
Корпус: TO92
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (45)
BS108ZL1G BS108ZL1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.25А 0.35Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92/formed lead
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
250мА
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
BS170_D26Z BS170_D26Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 500мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
830мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
40пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 288 шт
Цена от:
от 5,17
BS170_D27Z BS170_D27Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 500мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
830мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
40пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 288 шт
Цена от:
от 4,93
BS170_D74Z BS170_D74Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 500MA TO-92
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
500мА
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 288 шт
Цена от:
от 4,93
BS170_D75Z BS170_D75Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 500мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
830мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
40пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 288 шт
Цена от:
от 4,93
BS250P BS250P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 45В 230мА, 0.7Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
45В
Ток стока макс.:
230мА
Сопротивление открытого канала:
14 Ом
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Through Hole
BS270 BS270 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 400мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
400мА
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Through Hole
BS270_D74Z BS270_D74Z Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 400 мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
BSS295 BSS295 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 1.4A 0.3Ом TO92
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO92/formed lead
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
1.4A
Тип транзистора:
N-канал
DN3545N3-G DN3545N3-G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 450В 0.136А 0.74Вт
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
450В
Ток стока макс.:
136мА
Мощность макс.:
0.74Вт
Тип транзистора:
N-канальный
FQN1N50CTA FQN1N50CTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 380мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
380мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
890мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
195пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQN1N60CTA FQN1N60CTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 300мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
11.5 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.2нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
LND150N3-G LND150N3-G MOSFET, N CH, 500V, 0.03A, TO-92-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30mA; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):850ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:0V; Threshold Voltage Vgs:-; Powe
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO-92-3
SSN1N45BTA SSN1N45BTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 450В 500мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
450В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
4.25 Ом
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
240пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STQ1HNK60R-AP STQ1HNK60R-AP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 400мА
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
400мА
Сопротивление открытого канала:
8.5 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
156пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STQ1NK80ZR-AP STQ1NK80ZR-AP MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-92-3
Напряжение сток-исток макс.:
800V
Ток стока макс.:
300mA (Tc)
Сопротивление открытого канала:
16 Ohm @ 500mA, 10V
Мощность макс.:
3W
Тип транзистора:
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5V @ 50 µA
Заряд затвора:
7.7nC @ 10V
Входная емкость:
160pF @ 25V
Тип монтажа:
Through Hole
STQ2HNK60ZR-AP STQ2HNK60ZR-AP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.5A 3-Pin TO-92 лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
4.8 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STQ3N45K3-AP STQ3N45K3-AP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 450В 600мА
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
450В
Ток стока макс.:
600мА
Сопротивление открытого канала:
3.8 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
TP0604N3-G TP0604N3-G MOSFET Transistor 40V 2 Ohm
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO-92-3
ZVN0124A ZVN0124A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 240В 0.16A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
240В
Ток стока макс.:
160мА
Сопротивление открытого канала:
16 Ом
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
85пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"