Одиночные MOSFET транзисторы

₃₉₂

Корпус: SOIC8

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (392)

FDS86242 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 4.1A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

67 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

760пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS86252 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 4.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

955пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8638 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 18A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

4.3 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

5680пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8672S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

4.8 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

2670пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS8690 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14А 2.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

7.6 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

1680пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8813NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

18.5A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

76нКл

Входная емкость:

4145пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8817NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

2400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8840NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 18.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

18.6A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

144нКл

Входная емкость:

7535пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8842NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 14.9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

14.9A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

73нКл

Входная емкость:

3845пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8870 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

4.2 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

112нКл

Входная емкость:

4615пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS8878 Транзистор полевой N-канальный 30В 10.2А 2.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Сообщить о поступлении

FDS8896 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

67нКл

Входная емкость:

2525пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF3717PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 20А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

4.4 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.45В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

2890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF3717TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 20A 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

20A(Ta)

Сопротивление открытого канала:

4.4 мОм @ 20А, 10В

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.45В @ 250 µA

Заряд затвора:

33нКл @ 4.5В

Входная емкость:

2890пФ @ 10В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF6201PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 27A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

27A

Сопротивление открытого канала:

2.45 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.1В

Заряд затвора:

195нКл

Входная емкость:

8555пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6201TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 27A 2,5Вт 0,00245Ом SO8

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

27A(Ta)

Сопротивление открытого канала:

2.45 мОм @ 27А, 4.5В

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.1В @ 100 µA

Заряд затвора:

195нКл @ 4.5В

Входная емкость:

8555пФ @ 16В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF6216PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 2.2A 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

240 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

49нКл

Входная емкость:

1280пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

7 855 шт

Цена от:

от 32,93₽

IRF6217TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 0.7A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

700мА

Сопротивление открытого канала:

2.4 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

9нКл

Входная емкость:

150пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7201PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7А 2Вт, 0.03 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

28нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 130 шт

Цена от:

от 85,32₽

IRF7204 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.3A

Производитель:

UMW Youtai Semiconductor

Корпус:

SOIC8

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 380 шт

Цена от:

от 59,15₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"