Одиночные MOSFET транзисторы

392
Корпус: SOIC8
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (392)
IRF7422D2PBF IRF7422D2PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.3A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.3A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
610пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF7424PBF IRF7424PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4030пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 847 шт
Цена от:
от 135,54
Акция
IRF7425PBF IRF7425PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 15А 2Вт, 8.2м Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
8.2 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
7980пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 231 шт
Цена от:
от 66,38
Акция
IRF7450PBF IRF7450PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.5A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
940пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7450TRPBF IRF7450TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.5A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
940пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7451TRPBF IRF7451TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 3.6A 8-SOIC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
3.6A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
90 мОм @ 2.2А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
41нКл @ 10В
Входная емкость:
990пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF7452PBF IRF7452PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
930пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
32 шт
Цена от:
от 696,54
Акция
IRF7455PBF IRF7455PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14А 2.5Вт, 0.008 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
3480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
119 шт
Цена от:
от 145,62
Акция
IRF7456PBF IRF7456PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 16A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
3640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
300 шт
Цена от:
от 80,60
Акция
IRF7457PBF IRF7457PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 15A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
3100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7457TRPBF IRF7457TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 15A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
3100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7458PBF IRF7458PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
2410пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7458TRPBF IRF7458TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
2410пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF7463TRPBF IRF7463TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14A 8-SOIC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
8 мОм @ 14А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 250 µA
Заряд затвора:
51нКл @ 4.5В
Входная емкость:
3150пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7465PBF IRF7465PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 1.9A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 541 шт
Цена от:
от 33,37
Акция
IRF7468PBF IRF7468PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 9.4А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
9.4A
Сопротивление открытого канала:
15.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
2460пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
262 шт
Цена от:
от 195,06
Акция
IRF7469PBF IRF7469PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 9А 2.5Вт, 0.012 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
17 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 502 шт
Цена от:
от 41,83
Акция
IRF7469TR IRF7469TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 9A
Производитель:
UMW Youtai Semiconductor
Корпус:
SOIC8
IRF7470PBF IRF7470PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 10А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
3430пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
7 769 шт
Цена от:
от 103,14
Акция
IRF7473PBF IRF7473PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.9A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.9A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
3180пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"