Одиночные MOSFET транзисторы

₃₉₂

Корпус: SOIC8

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (392)

SI4431CDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

32 мОм

Мощность макс.:

4.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

1006пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4434DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 2.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

2.1A

Сопротивление открытого канала:

155 мОм

Мощность макс.:

1.56Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

50нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4434DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 2.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

2.1A

Сопротивление открытого канала:

155 мОм

Мощность макс.:

1.56Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

50нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4435DDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11.4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11.4A

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 007 шт

Цена от:

от 12,86₽

SI4435DY Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 8.8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

30V

Ток стока макс.:

8.8A

Сопротивление открытого канала:

20 mOhm

Мощность макс.:

Тип транзистора:

P-Channel

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

Заряд затвора:

24nC

Входная емкость:

1604pF

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4436DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

36 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4442DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 7.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

50нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4447ADY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 7.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

7.2A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

4.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

970пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4459ADY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 29A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

5 мОм

Мощность макс.:

7.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

195нКл

Входная емкость:

6000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4463BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 9.8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

9.8A

Сопротивление открытого канала:

11 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.4В

Заряд затвора:

56нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4463CDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 13.6A 8-Pin SOIC N лента на катушке

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.6A

Тип транзистора:

P-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4464DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

240 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4464DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

240 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4477DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 26.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

26.6A

Сопротивление открытого канала:

6.2 мОм

Мощность макс.:

6.6Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

190нКл

Входная емкость:

4600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4485DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

42 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

590пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4488DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 3.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

3.5A

Сопротивление открытого канала:

50 мОм

Мощность макс.:

1.56Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

36нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4490DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.85A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

2.85A

Сопротивление открытого канала:

80 мОм

Мощность макс.:

1.56Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

42нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

520 шт

Цена от:

от 85,85₽

SI4686DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

18.2A

Сопротивление открытого канала:

9.5 мОм

Мощность макс.:

5.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1220пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4800BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

18.5 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.8В

Заряд затвора:

13нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4800BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

18.5 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.8В

Заряд затвора:

13нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"